ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serie RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali e di consumo. Negli ultimi anni in tutto il mondo si è registrato un aumento del consumo di potenza – circostanza che ha dato forte impulso all’esigenza di maggiore efficienza per le apparecchiature industriali, tra le quali server e base station, nonché vari motori. Per molte di queste applicazioni che utilizzano MOSFET di media tensione, all’interno di un gran numero di circuiti, i produttori richiedono perdite di potenza perfino più basse. Tuttavia, in generale i MOSFET sono caratterizzati da due principali parametri che comportano perdite di potenza: la resistenza di ON (R_DS(on)) – inversamente proporzionale alle dimensioni del chip – e la carica gate-drain (Qgd), che è direttamente proporzionale alle dimensioni del chip. Diventa così arduo ottimizzare entrambi i parametri. ROHM ha migliorato la relazione di bilanciamento fra i due, adottando collegamenti a clip in rame e migliorando la struttura del gate. I nuovi MOSFET raggiungono un valore di R_DS(on) di 2,1 mΩ che è ai vertici del settore – inferiore circa del 50% rispetto al valore convenzionale – incrementando la performance del dispositivo e adottando il package HSOP8/HSMT8 che comprende collegamenti a clip in rame a bassa resistenza. Ma non è tutto, il miglioramento della struttura dell’elemento gate riduce il valore di Qgd, che generalmente per una relazione di bilanciamento con il valore di R_DS(on) si aggira attorno al 40% rispetto ai prodotti convenzionali (dal confronto tra i valori tipici di R_DS(on) e valore di Qgd di prodotti in package HSOP8 da 60 V). Sono miglioramenti che riducono sia le perdite di commutazione che di conduzione, contribuendo notevolmente a una maggiore efficienza dell’applicazione. A titolo esemplificativo, quando si paragona l’efficienza dell’evaluation board di un alimentatore per apparecchiature industriali, i nuovi prodotti di ROHM raggiungono un’efficienza ai vertici del settore pari a circa il 95% (picco) nel range di corrente di uscita durante il funzionamento in regime stazionario. Per il futuro, ROHM continuerà a sviluppare MOSFET con valori di R_DS(on) addirittura più bassi, che riducono il consumo di potenza in un gran numero di applicazioni, contribuendo alla risoluzione di problematiche sociali come la tutela dell’ambiente attraverso la preservazione dell’energia.