MOSFET SiC in SMD D2PAK-7 da Nexperia
Nexperia ha recentemente introdotto i MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V NSF0xx120D7A0 nel packaging SMD D2PAK-7. Questi MOSFET sono disponibili in quattro diverse opzioni con valori RDSon di 30, 40, 60 e 80 mOhm. Questi interruttori vengono ampiamente...
Nuovi MOSFET con bassa resistenza di ON di ROHM per un’alta efficienza
ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serieĀ RS6xxxxBxĀ /Ā RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali...
Come misurare la resistenza interna di pile e batterie
Le batterie non sono generatori elettrici ideali ma la corrente fornita ĆØ limitata da una naturale loro resistenza interna. Vediamo come misurare tale resistenza, con metodi di facile e semplice adozione. Le batterie sono dispositivi che trasformano energia chimica in...
