Nexperia ha fatto il suo debutto sul mercato dei transistor bipolari a porta isolata (IGBT) con una serie di dispositivi a 600 V, a partire dal modello da 30 A NGW30T60M3DF. Nexperia risponde alla crescente esigenza di dispositivi di commutazione efficienti e ad alta tensione, con una gamma di criteri di prestazioni e costi, aggiungendo gli IGBT al suo portafoglio completo. In questo modo, l’azienda ĆØ in grado di soddisfare le diverse esigenze dei clienti. Nelle applicazioni di conversione di potenza e di azionamento dei motori, come i servomotori da 5 a 20 kW (20 kHz), la robotica, gli ascensori, le pinze operative, la produzione in linea, gli inverter di potenza, i gruppi di continuitĆ (UPS), le stringhe fotovoltaiche (PV), la ricarica dei veicoli elettrici (EV), il riscaldamento e la saldatura a induzione, questi nuovi IGBT consentono una maggiore densitĆ di potenza.
L’IGBT ĆØ una tecnologia piuttosto sviluppata. Nonostante ciĆ², si prevede che il mercato di questi dispositivi si espanderĆ di pari passo con l’aumento dell’uso dei pannelli solari e dei caricatori per veicoli elettrici (EV). Gli IGBT da 600 V di Nexperia sono caratterizzati da un robusto ed economico design avanzato di field-stop (FS) con carrier-stored trench-gate, che offre prestazioni di conduzione e perdita di commutazione eccezionalmente basse, con alti livelli di robustezza a temperature operative fino a 175Ā°C. Questo migliora l’efficienza e l’affidabilitĆ degli inverter di potenza, dei riscaldatori a induzione, delle apparecchiature di saldatura e delle applicazioni industriali come azionamenti e servocomandi, robotica, ascensori, pinze operative e produzione in linea. IGBT delle serie a media velocitĆ (M3) e ad alta velocitĆ (H3) sono a disposizione dei progettisti. Questi IGBT sono stati progettati con una distribuzione dei parametri estremamente ridotta, che consente di collegare in modo sicuro piĆ¹ dispositivi in parallelo. Inoltre, la loro resistenza termica ĆØ inferiore a quella dei dispositivi concorrenti, consentendo di produrre una maggiore potenza di uscita. Questi IGBT sono classificati anche come diodi a recupero inverso rapido e morbido. CiĆ² indica che sono adatti per applicazioni di raddrizzamento e circuiti bidirezionali, nonchĆ© per la protezione da sovracorrenti.
