Toshiba Electronics Europe ha aggiunto due nuovi prodotti MOSFET di potenza a canale N da 150 V basati sul processo U-MOS X-H Trench di ultima generazione.

I dispositivi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono progettati specificamente per alimentatori switching ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nei data center, nelle stazioni base di comunicazione e in altre applicazioni industriali. I nuovi dispositivi presentano una tensione nominale massima di drain-source (VDSS) di 150 V e una corrente di drain (ID) che gestisce 49 A (TPH1100CQ5) e 32 A (TPH1400CQ5). Presentano inoltre una resistenza massima drain-source (RDS(ON)) di 11 mOhm e 14 mOhm, rispettivamente.

I nuovi prodotti offrono caratteristiche migliorate di recupero inverso, fondamentali nelle applicazioni di rettifica sincrona. Nel caso del TPH1400CQ5, la carica di recupero inverso (Qrr) è diminuita di circa il 73% a 27 nC (tip.) e il tempo di recupero inverso (trr) di 36 ns (tip.) è circa il 45% più veloce rispetto ai sistemi esistenti dell’azienda. TPH1400CQH, che offre la stessa tensione e RDS(ON). Utilizzato in applicazioni di raddrizzamento sincrono, TPH1400CQ5 riduce la perdita di potenza degli alimentatori a commutazione e contribuisce a migliorare l’efficienza.

Se il dispositivo viene utilizzato in un circuito che non funziona in modalità di recupero inverso, la perdita di potenza è equivalente a quella del TPH1400CQH. Se utilizzati in un circuito che opera in modalità di recupero inverso, i nuovi prodotti riducono le tensioni di picco generate durante la commutazione, contribuendo a migliorare le caratteristiche EMI dei progetti e riducendo la necessità di filtraggio esterno. I dispositivi sono alloggiati in un versatile contenitore SOP Advance(N) a montaggio superficiale che misura solo 4,9 mm x 6,1 mm x 1 mm.