ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serieĀ RS6xxxxBxĀ /Ā RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali e di consumo. Negli ultimi anni in tutto il mondo si ĆØ registrato un aumento del consumo di potenza ā circostanza che ha dato forte impulso all’esigenza di maggiore efficienza per le apparecchiature industriali, tra le quali server e base station, nonchĆ© vari motori. Per molte di queste applicazioni che utilizzano MOSFET di media tensione, all’interno di un gran numero di circuiti, i produttori richiedono perdite di potenza perfino piĆ¹ basse. Tuttavia, in generale i MOSFET sono caratterizzati da due principali parametri che comportano perdite di potenza: la resistenza di ON (RDS(on)) ā inversamente proporzionale alle dimensioni del chip ā e la caricaĀ gate-drainĀ (Qgd), che ĆØ direttamente proporzionale alle dimensioni del chip. Diventa cosƬ arduo ottimizzare entrambi i parametri. ROHM ha migliorato la relazione di bilanciamento fra i due, adottando collegamenti a clip in rame e migliorando la struttura del gate. I nuovi MOSFET raggiungono un valore di RDS(on)Ā di 2,1 mĪ© che ĆØ ai vertici del settore ā inferiore circa del 50% rispetto al valore convenzionale ā incrementando la performance del dispositivo e adottando il package HSOP8/HSMT8 che comprende collegamenti a clip in rame a bassa resistenza. Ma non ĆØ tutto, il miglioramento della struttura dell’elementoĀ gateĀ riduce il valore di Qgd, che generalmente per una relazione di bilanciamento con il valore di RDS(on)Ā si aggira attorno al 40% rispetto ai prodotti convenzionaliĀ (dal confronto tra i valori tipici di RDS(on)Ā e valore di Qgd di prodotti in package HSOP8 da 60 V). Sono miglioramenti che riducono sia le perdite di commutazione che di conduzione, contribuendo notevolmente a una maggiore efficienza dell’applicazione. A titolo esemplificativo, quando si paragona l’efficienza dell’evaluation boardĀ di un alimentatore per apparecchiature industriali, i nuovi prodotti di ROHM raggiungono un’efficienza ai vertici del settore pari a circa il 95% (picco) nel range di corrente di uscita durante il funzionamento in regime stazionario. Per il futuro, ROHM continuerĆ a sviluppare MOSFET con valori di RDS(on)Ā addirittura piĆ¹ bassi, che riducono il consumo di potenza in un gran numero di applicazioni, contribuendo alla risoluzione di problematiche sociali come la tutela dell’ambiente attraverso la preservazione dell’energia.
Nuovi MOSFET con bassa resistenza di ON di ROHM per un’alta efficienza
da edm electronics | 12 Giu, 23 | News | efficienza mosfet resistenza
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