I MOSFET CoolSiC G2 di Infineon Technologies rappresentano la prossima generazione della tecnologia SiC, aprendo un nuovo capitolo nei sistemi di alimentazione e nella conversione dell’energia nella tecnologia trench SiC MOSFET per inverter fotovoltaici, sistemi di accumulo di energia, ricarica di veicoli elettrici, alimentatori e applicazioni di azionamento di motori.
I MOSFET offrono i più alti standard di qualità in tutte le comuni combinazioni di schemi di alimentazione (AC/DC, DC-DC e DC/AC) e migliorano ulteriormente l’esclusiva tecnologia di interconnessione XT dell’azienda (ad esempio, negli alloggiamenti discreti TO-263-7, TO- 247-4) per migliorare le prestazioni e la capacità termica dei chip semiconduttori. I MOSFET CoolSiC G2 da 650 V e 1 200 V migliorano le prestazioni chiave per l’energia immagazzinata e la ricarica fino al 20% senza compromettere la qualità o l’affidabilità, migliorando al contempo l’efficienza energetica complessiva e la decarbonizzazione. La capacità termica del G2 è migliore del 12%, portando CoolSiC a un nuovo livello di prestazioni SiC con una capacità di commutazione rapida che produce perdite di potenza inferiori del 5-30% in tutte le modalità operative a seconda delle condizioni di carico, consentendo un notevole risparmio energetico.
La nuova generazione di tecnologia SiC del dispositivo fornisce una progettazione accelerata di sistemi più ottimizzati in termini di costi, compatti, affidabili e altamente efficienti, con risparmi di raccolta di energia e riduzione di CO2 per ogni watt sul campo.
