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I MOSFET SiC veloci Gen-3 di Navitas accelerano lo sviluppo dell’intelligenza artificiale e della ricarica dei veicoli elettrici

Navitas Semiconductor ha introdotto una nuova gamma di MOSFET SiC Gen-3 “Fast” (G3F) da 650 V e 1 200 V. Questi MOSFET sono progettati per offrire la massima velocità di commutazione, la massima efficienza e una maggiore densità di potenza. Sono...

Il Futuro dei Chip EV è GaN?

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