L’EPC2071 ĆØ un FET GaN da 200 V, 2.2 mOhm, 250 Apulsed, GaN. L’EPC2071 ĆØ ideale per applicazioni con requisiti esigenti per prestazioni ad alta densitĆ di potenza, inclusi 48 V ā 54 V CC-CC in ingresso per nuovi server e intelligenza artificiale. Cariche...
L’EPC7007 ĆØ un FET eGaN rad-hard da 200 V, 25 mOhm, 80 Apulsed, con un ingombro ridotto di 5,76 mm2. L’EPC7007 ha una dose totale superiore a 1 Mrad e un’immunitĆ SEE per LET di 85 MeV/(mg/cm2). Questi dispositivi sono offerti in un pacchetto a scala...
