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Il nuovo FET eGaN EPC2071 da 100 V e 2.2 mOhm

Il nuovo FET eGaN EPC2071 da 100 V e 2.2 mOhm

da | 13 Mag, 22 | News

L’EPC2071 è un FET GaN da 200 V, 2.2 mOhm, 250 Apulsed, GaN. L’EPC2071 è ideale per applicazioni con requisiti esigenti per prestazioni ad alta densità di potenza, inclusi 48 V – 54 V CC-CC in ingresso per nuovi server e intelligenza artificiale. Cariche...
EPC7007: il Rad-Hard eGaN FET da 200 V

EPC7007: il Rad-Hard eGaN FET da 200 V

da | 4 Mag, 22 | News, Power

L’EPC7007 è un FET eGaN rad-hard da 200 V, 25 mOhm, 80 Apulsed, con un ingombro ridotto di 5,76 mm2. L’EPC7007 ha una dose totale superiore a 1 Mrad e un’immunità SEE per LET di 85 MeV/(mg/cm2). Questi dispositivi sono offerti in un pacchetto a scala...
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