![EPC lancia la famiglia GaN rad-hard](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2021/06/EPC7014.jpg)
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![Primo FET GaN automotive che integra driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2020/12/GAN-PR-Graphic-FINAL-1-1024x576-1.jpg)
Primo FET GaN automotive che integra driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione
Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con la prossima generazione di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V (FET) per applicazioni automotive e industriali....![Simulazione del comportamento termico e di commutazione del MOSFET SiC in LTspice](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2020/10/EDM-2.jpg)