FET Archivi - Pagina 2 di 2 - Electronics Design Master

EPC lancia la famiglia GaN rad-hard

Efficient Power Conversion (EPC) ha lanciato una famiglia di transistor e circuiti integrati GaN rad-hard. L’EPC7014 (un eGaNFET da 60 V, 340 mΩ, 4 Apulsed, rad-hard con un ingombro di 0,81 mm2) è il primo della famiglia. L’EPC7014 ha un dosaggio totale...

Primo FET GaN automotive che integra driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione

da edm electronics | 2 Dic, 20 | News

Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con la prossima generazione di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V (FET) per applicazioni automotive e industriali....

Simulazione del comportamento termico e di commutazione del MOSFET SiC in LTspice

da edm electronics | 21 Ott, 20 | Tutorial

Modelli SPICE elettrotermici I modelli SPICE in esame sono piuttosto comuni per quanto riguarda il comportamento elettrico, e ne si può eseguire facilmente una simulazione, ma Wolfspeed ha incorporato caratteristiche interessanti relative alla temperatura che sono...

Design

Dispositivi

Editoriale

EDM Math Tools

Elettronica di Potenza

Embedded

Fun facts

Gestione termica

Interviste

IoT

Microcontrollori

News

Power

RF/Wireless

Technology & Science

Tests and Measurements

Tutorial

Veicoli elettrici

ISCRIVITI ALLA NEWSLETTER

EPC lancia la famiglia GaN rad-hard

Primo FET GaN automotive che integra driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione

Simulazione del comportamento termico e di commutazione del MOSFET SiC in LTspice

Categorie

Archivi

Articoli recenti

Tecnologia EliteSiC M3S: la scelta ideale per le applicazioni di commutazione ad alta velocità

Sviluppare fibre alimentate a batteria e ad energia solare

I trasformatori

Un modello aggiornato spiega la differenza tra teoria ed esperimenti nella polarizzazione del nitruro wurtzite

ISCRIVITI ALLA NEWSLETTER

Categorie

Tag

Archivi

Articoli recenti