Il transistor GaN FET EPC2066 da 40 V e 1,1 mΩ presentato da EPC offre ai progettisti una soluzione significativamente più piccola e più efficiente rispetto ai dispositivi MOSFET in silicio per realizzare applicazioni ad alta prestazioni con stringenti limiti di...
L’elettronica di potenza coinvolge un’intera gamma di applicazioni critiche, dall’elettrificazione alle reti intelligenti. Essa è un pilastro fondamentale per l’intero settore, per soddisfare anche le richieste dei cambiamenti climatici e...
L’EPC7007 è un FET eGaN rad-hard da 200 V, 25 mOhm, 80 Apulsed, con un ingombro ridotto di 5,76 mm2. L’EPC7007 ha una dose totale superiore a 1 Mrad e un’immunità SEE per LET di 85 MeV/(mg/cm2). Questi dispositivi sono offerti in un pacchetto a scala...
La scheda di valutazione EPC9171 converte un ingresso universale AC da 90 a 265 V in una tensione di uscita DC regolabile in un ampio intervallo da 15 V a 48 V. Questo progetto di riferimento può fornire 240 W di potenza massima in uscita a 48 V di tensione e 5 A di...
Gli HEMT GaN ROHM da 150 V, serie GNE10xxTB (GNE1040TB) migliorano la tensione di tenuta del gate (tensione nominale gate-source) a 8 V e sono ideali da utilizzare nei circuiti di alimentazione per apparecchiature industriali, comprese stazioni base e data center...