Primo FET GaN automotive che integra driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione
Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con la prossima generazione di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V (FET) per applicazioni automotive e industriali....
Dispositivi GaN per sistemi LiDAR
I veicoli a guida autonoma, considerati fantascienza fino a un paio di decenni fa, stanno ormai diventando realtĆ . CiĆ² che rende possibile questo tipo di applicazione ĆØ senza dubbio lāuso di innumerevoli sensori intelligenti ad altissime prestazioni. Lāavanzamento...
