Innoscience lancia una nuova generazione di soluzioni BMS basate sulla tecnologia VGaNā¢ bidirezionale a 100 V
Innoscience Technology ha lanciato una nuova generazione di sistemi per la gestione delle batterie (BMS) basati sulla tecnologia VGaN. Lāaumento della domanda di viaggi ecologici e comodi, stoccaggio di energia in mobilitĆ e soluzioni di potenza compatte ha impresso...
La STMicroelectronics lancia la quarta generazione della tecnologia MOSFET in carburo di silicio (SiC) STPOWER
La tecnologia di quarta generazione stabilisce nuovi standard in termini di efficienza energetica, densitĆ di potenza e durata. La nuova tecnologia ĆØ specificamente messa a punto per gli inverter di trazione, il componente essenziale dei propulsori dei veicoli...
Nuova linea di MOSFET di potenza a canale N per un minor consumo energetico negli alimentatori
Toshiba Electronics EuropeĀ ha aggiunto due nuovi prodotti MOSFET di potenza a canale N da 150 V basati sul processo U-MOS X-H Trench di ultima generazione. I dispositivi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono progettati specificamente per alimentatori switching ad alte...
