Le modalità in cui cambiano VDS e ID del MOSFET SiC LS (low-side) sono diversi in caso di accensione e spegnimento. Quando si considera l’effetto di questi cambiamenti sulla tensione gate-source (VGS), il nostro punto di partenza è un circuito equivalente che...
La tecnologia del nitruro di gallio mira a sostituire il silicio ed aumentare le prestazioni dei veicoli elettrici riducendo i costi. I progressi tecnologici nei veicoli elettrici (EV) stanno costantemente riducendo il costo della BOM del veicolo, creando al contempo...
UnitedSiC ha lanciato FET-Jet Calculator, un semplice strumento online senza registrazione che aiuta la selezione e il confronto delle prestazioni in varie applicazioni e topologie di potenza. Questo nuovo strumento consente agli ingegneri di prendere decisioni e di...
I dispositivi MOSFET per piccoli segnali automobilistici di Toshiba, ora disponibili da Mouser, sono MOSFET di semi-potenza a corpo compatto qualificati AEC-Q101. Supportano un’ampia varietà di applicazioni automobilistiche per sistemi di batterie da 12 V a 48...
La crescente popolarità delle soluzioni GaN nell’elettronica di potenza ha spinto molte aziende a ripensare il modo in cui costruiscono i propri sistemi di alimentazione. Negli ultimi anni esso ha dimostrato di essere affidabile e di spingere i confini in...