Grazie all’accordo strategico con TSMC, tramite JASM, ADI rafforza le proprie capacità e la propria resilienza, assicurando la fornitura di chip a lungo termine e l'accesso alle ultime tecnologie a 40nm e oltre. Wilmington, Stati Uniti – 22 febbraio 2024 –...
I nuovi SBD ROHM offrono tempi di reverse recovery ai vertici della categoria* con una tensione di scarica disruptiva di 100 V grazie a una struttura trench-MOS che migliora in modo significativo il bilanciamento VF-IR ROHM ha sviluppato diodi a barriera Schottky...
Allegro MicroSystems, Inc. presenta i nuovi sensori di corrente ACS37030 e ACS37032 ad elevata larghezza di banda, che facilitano la conversione di potenza ad alte prestazioni con transistor in GaN (nitruro di gallio) e SiC (carburo di silicio) nei veicoli elettrici,...
Nel mondo dei connettori elettrici le opzioni tra cui scegliere abbondano, cosa che può rendere difficile l’identificazione della scelta giusta. Ciò è ancora più difficile nei settori mission-critical con sfide operative specifiche, come quello militare. Qui...
A cura del Dr. Shuilin Tian e del Dr. Denis Marcon di Innoscience Il mondo dell’elettronica di potenza ha accolto con interesse i vantaggi offerti dalla tecnologia basata sul nitruro di gallio (GaN). Gli articoli pubblicati sulla stampa specializzata, le...