Vishay Intertechnology lancia i nuovi diodi Schottky SiC di terza generazione da 1 200 V
Vishay IntertechnologyĀ ha presentato 16 nuovi diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di terza generazione da 1 200 V. I dispositivi Vishay Semiconductors utilizzano un design PIN Schottky (MPS) unito per migliorare l’efficienza e l’affidabilitĆ nei...
Nuovi accordi commerciali tra Power Integrations e Odyssey Semiconductor Technologies
Power Integrations ha annunciato un accordo per l’acquisto delle attivitĆ di Odyssey Semiconductor Technologies, una societĆ specializzata nello sviluppo della tecnologia dei transistor verticali al nitruro di gallio (GaN). Si prevede che lāaccordo sarĆ ...
Infineon annuncia i transistor di potenza CoolGaN da 700 V per applicazioni consumer e industriali
Infineon TechnologiesĀ ha introdotto l’ultima linea di prodotti, la serie CoolGaN Transistor 700 V G4. I dispositivi mostrano un’efficienza eccezionale nella conversione della potenza nell’intervallo di tensione fino a 700 V. A differenza dei...
