UnitedSiC, produttore leader di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC), continua ad espandere il proprio portafoglio FET con l’introduzione di sei nuove opzioni da 650V e 1200V, tutte alloggiate nella superficie D2PAK-7L standard del settore pacchetto di montaggio. Disponibili nelle versioni da 30, 40, 80 e 150 mĪ©, questi ultimi FET SiC rappresentano un altro passo avanti nell’accelerazione della migrazione al SiC attraverso applicazioni come alimentatori per server e telecomunicazioni, caricabatterie e alimentatori industriali, caricabatterie di bordo EV e DC-DC convertitori. I FET SiC D2PAK-7L supportano velocitĆ di commutazione notevolmente superiori, con una connessione sorgente Kelvin che migliora le prestazioni di ritorno del gate drive, oltre a offrire capacitĆ termiche leader del settore. Attraverso l’utilizzo di Ag Sintering, gli attacchi degli stampi possono essere eseguiti su PCB convenzionali e su complesse disposizioni di substrati metallici isolati (IMS). Inoltre, mostrano eccellenti valori di dispersione e distanza rispettivamente di 6,7 mm e 6,1 mm, il che significa che ĆØ possibile garantire i massimi livelli di sicurezza operativa anche a tensioni elevate.
Attraverso le capacitĆ di commutazione rapida di questi ultimi FET, oltre alle prestazioni termiche superiori derivanti dalla sinterizzazione di Ag, continuano i vantaggi in termini di prestazioni, affidabilitĆ , dimensioni e layout al progettista di potenza. I nuovi dispositivi D2PAK-7L sono completamente supportati dal FET-Jet Calculator di UnitedSiC. Utilizzando questa risorsa online gratuita, gli ingegneri possono valutare i diversi parametri operativi necessari per la loro applicazione, eseguire confronti dettagliati delle prestazioni e quindi identificare quale sia la migliore soluzione SiC per i loro requisiti di progettazione in modo rapido e sicuro.
