Vishay Intertechnology ha presentato 16 nuovi diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di terza generazione da 1 200 V. I dispositivi Vishay Semiconductors utilizzano un design PIN Schottky (MPS) unito per migliorare l’efficienza e l’affidabilità nei sistemi di alimentazione a commutazione.

Questo design combina l’elevata robustezza della corrente di picco con una bassa caduta di tensione diretta, carica capacitiva e corrente di dispersione inversa. Nei contenitori a foro passante TO-220AC 2L, TO-247AD 2L e TO-247AD 3L e a montaggio superficiale D2PAK 2L (TO-263AB 2L), i diodi SiC di prossima generazione appena rilasciati sono disponibili in una gamma di correnti da Da 5 A a 40 A. I diodi forniscono una carica a bassa capacità di 28 nC e la loro struttura MPS, caratterizzata da un lato posteriore assottigliato utilizzando la tecnologia di ricottura laser, determina una caduta di tensione diretta ridotta di 1,35 V.

Inoltre, i dispositivi presentano una bassa corrente di dispersione inversa tipica di circa 2,5 uA a 25 °C, che riduce al minimo le perdite di conduzione e garantisce un’efficienza ottimale del sistema anche in condizioni di carico leggero e di inattività. A differenza dei diodi con velocità di commutazione estremamente elevate, i dispositivi Gen 3 non hanno quasi nessuna carica residua da dissipare, con conseguente efficienza ancora migliore.