EPC annuncia l’introduzione di due nuovi FET GaN resistenti alle radiazioni
L’EPC7020 ĆØ un FET GaN rad-hard da 200 V, 11 mĪ©, 170 A Pulsed, in un piccolo ingombro di 12 mm2. L’EPC7003 ĆØ un FET GaN da 100 V, 30 mĪ©, 42 A Pulsed, resistente alle radiazioni, in un piccolo ingombro di 1,87 mm2. Entrambi i dispositivi resistono a una...
Diodes lancia il primo MOSFET SiC da 1200 V in contenitore TO247-4
Diodes Incorporated ha annunciato l’ultima aggiunta al suo portafoglio di prodotti in carburo di silicio (SiC): il MOSFET SiC a canale N DMWS120H100SM4. Per applicazioni quali azionamenti di motori industriali, inverter solari, data center e alimentatori per...
Circuiti integrati ePower per una maggiore densitĆ di potenza
EPCĀ ha annunciato la disponibilitĆ di due nuovi circuiti integrati per stadi di potenza aĀ 100 V con correnti nominali di 15 A (EPC23104) e 25 A (EPC23103). I due dispositivi si affiancano al circuito integrato per stadi di potenza a 100 V da 35 A (EPC23102) giĆ ...
