Il nitruro di gallio è una tecnologia a semiconduttore di nuova generazione con un enorme gap di banda che è diventato essenziale per lo sviluppo dell’elettronica di potenza avanzata. È fino a 20 volte più veloce del silicio e può fornire fino a tre volte la potenza o caricare metà del volume e del peso dei dispositivi basati sul silicio. La famiglia di dispositivi di alimentazione WiseGan di Wise Integration include il circuito integrato WI62120 in modalità di miglioramento GaN-on-Si da 650 V certificato JEDEC. Utilizzando le proprietà intrinseche del GaN, aumenta le capacità di corrente, l’interruzione della tensione e le frequenze di commutazione per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza e ad alta densità tra 30 W e 3 kW. Wise Integration ha presentato il mese scorso il suo primo prodotto commerciale, il circuito di alimentazione a mezzo ponte WI62120 da 120 m. Questo dispositivo offre ai progettisti di elettronica di potenza nuovi livelli di densità di potenza, prestazioni ed economicità. Tra i mercati di destinazione ci sono i consumatori (come caricabatterie ultraveloci per dispositivi mobili e desktop), e-mobility e alimentatori CA/CC industriali e design che utilizzano la correzione del fattore di potenza (PFC) totem-pole senza ponte e il flyback a morsetto attivo (ACF). Thierry Bouchet, CEO di Wise Integration, ha dichiarato: “È una fantastica opportunità per guidare l’adozione del GaN: la tecnologia sta dominando nel settore e, man mano che si sviluppa, possiamo prevedere prezzi economici”.
“Come abbiamo visto, molti clienti del settore consumer stanno iniziando il passaggio a GaN. Quindi è una buona opportunità per accelerare la penetrazione del mercato, e diciamo che il prodotto ha poco valore aggiunto ed è un gadget a basso costo, quindi non è particolarmente redditizio, ma è ottimo per il volume. I mercati vogliono dispositivi compatti ed efficaci”. “Nelle applicazioni a bassa tensione, assistiamo anche alla concorrenza del SiC”, ha affermato. “È interessante notare che anche l’industria del carburo di silicio punta a tensioni più basse. Di conseguenza, c’è una guerra dei prezzi, poiché possiamo vedere alcuni fornitori di carburo di silicio con prezzi bassi. Utilizzando l’ibrido all’interno di un buon controllo GaN, penso che il prezzo sarà essere più competitivi del carburo di silicio. Quindi il carburo di silicio può entrare nel mercato, ma solo per applicazioni specialistiche e non per l’intero mercato. Prima di poter essere commercializzato, il GaN deve essere sottoposto a ulteriori attività di ricerca e sviluppo. È piuttosto difficile competere con il SiC a 1200 V in questo ambiente L’attuale tecnica GaN massimizza l’uso di imballaggi convenzionali. Bouchet ha affermato: “Oggi, per la mobilità, ci stiamo concentrando principalmente su e-bike, e-scooter e motociclette elettriche e vorremmo diventare un grande attore GaN in questo mercato”. Riteniamo che questo sia anche un metodo per promuovere la nostra tecnologia in un mercato in cui attualmente ci sono pochi rivali GaN.
