Nexperia ha fatto il suo debutto sul mercato dei transistor bipolari a porta isolata (IGBT) con una serie di dispositivi a 600 V, a partire dal modello da 30 A NGW30T60M3DF. Nexperia risponde alla crescente esigenza di dispositivi di commutazione efficienti e ad alta tensione, con una gamma di criteri di prestazioni e costi, aggiungendo gli IGBT al suo portafoglio completo. In questo modo, l’azienda è in grado di soddisfare le diverse esigenze dei clienti. Nelle applicazioni di conversione di potenza e di azionamento dei motori, come i servomotori da 5 a 20 kW (20 kHz), la robotica, gli ascensori, le pinze operative, la produzione in linea, gli inverter di potenza, i gruppi di continuità (UPS), le stringhe fotovoltaiche (PV), la ricarica dei veicoli elettrici (EV), il riscaldamento e la saldatura a induzione, questi nuovi IGBT consentono una maggiore densità di potenza.

L’IGBT è una tecnologia piuttosto sviluppata. Nonostante ciò, si prevede che il mercato di questi dispositivi si espanderà di pari passo con l’aumento dell’uso dei pannelli solari e dei caricatori per veicoli elettrici (EV). Gli IGBT da 600 V di Nexperia sono caratterizzati da un robusto ed economico design avanzato di field-stop (FS) con carrier-stored trench-gate, che offre prestazioni di conduzione e perdita di commutazione eccezionalmente basse, con alti livelli di robustezza a temperature operative fino a 175°C. Questo migliora l’efficienza e l’affidabilità degli inverter di potenza, dei riscaldatori a induzione, delle apparecchiature di saldatura e delle applicazioni industriali come azionamenti e servocomandi, robotica, ascensori, pinze operative e produzione in linea. IGBT delle serie a media velocità (M3) e ad alta velocità (H3) sono a disposizione dei progettisti. Questi IGBT sono stati progettati con una distribuzione dei parametri estremamente ridotta, che consente di collegare in modo sicuro più dispositivi in parallelo. Inoltre, la loro resistenza termica è inferiore a quella dei dispositivi concorrenti, consentendo di produrre una maggiore potenza di uscita. Questi IGBT sono classificati anche come diodi a recupero inverso rapido e morbido. Ciò indica che sono adatti per applicazioni di raddrizzamento e circuiti bidirezionali, nonché per la protezione da sovracorrenti.