STMicroelectronics sta realizzando un impianto di produzione all’avanguardia a Catania dedicato alla produzione di dispositivi e moduli di potenza utilizzando la tecnologia del carburo di silicio (SiC) da 200 mm.
La struttura includerà anche strutture per i test e l’imballaggio. La creazione del nuovo Silicon Carbide Campus è un risultato significativo volto ad assistere i clienti nell’utilizzo di dispositivi SiC in molti settori come quello automobilistico, industriale e delle infrastrutture cloud. Il Silicon Carbide Campus fungerà da hub dell’ecosistema SiC mondiale della ST, consolidando tutte le fasi del processo di produzione.
Ciò include lo sviluppo di substrati SiC, la crescita di strati epitassiali, la fabbricazione di wafer front-end da 200 mm, l’assemblaggio di back-end dei moduli, nonché ricerca e sviluppo per processi, progettazione di prodotti, laboratori avanzati per stampi, sistemi di alimentazione e moduli e funzionalità di confezionamento complete. Questo progetto sarà il primo del suo genere in Europa a produrre in serie wafer SiC da 200 mm.
L’intero processo di produzione, compresi substrato, epitassia, front-end e back-end, utilizzerà la tecnologia da 200 mm per migliorare rese e prestazioni. Si prevede che il prossimo stabilimento inizierà la produzione nel 2026 e raggiungerà la massima capacità produttiva entro il 2033, producendo fino a 15 000 wafer a settimana.
