Innoscience, azienda di semiconduttori specializzata nella tecnologia del nitruro di gallio, ha firmato un accordo di investimento nell’ambito della sua prevista offerta pubblica iniziale (IPO) sul Consiglio della Borsa di Hong Kong. Questo link (https://www.ipox.com/upcoming-ipos) indica che Innoscience intende quotarsi alla Borsa di Hong Kong il 30 dicembre 2024.

Nonostante Innoscience e i suoi partner non abbiano rilasciato dichiarazioni ufficiali, secondo questo documento (https://www1.hkexnews.hk/listedco/listconews/sehk/20241218/2024121800031.pdf) Innoscience afferma: “Abbiamo stipulato accordi di investimento fondamentali con gli investitori fondamentali, ovvero STMicroelectronics Limited, Jiangsu State-Owned Enterprise Mixed Ownership Reform Fund, Jiangsu Suzhou High-end Equipment Industry Special Mother Fund e Suzhou Dongfang Chuanglian Investment Management Co.”. Un riepilogo della tempistica è indicato nel documento dell’IPO.

L’accordo organizza formalmente alleanze strategiche con investitori chiave e sponsor congiunti, gettando le basi per un’importante offerta a livello mondiale. La STMicroelectronics, in qualità di investitore principale, si è impegnata a sottoscrivere una parte significativa delle azioni H di Innoscience. I joint sponsor, China International Capital Corporation Hong Kong Securities Limited e CMB International Capital Limited, fungono da coordinatori generali e intermediari del mercato dei capitali.

L’accordo aderisce al quadro normativo stabilito dalla China Securities Regulatory Commission, dalla Borsa di Hong Kong e da altre autorità competenti, garantendo la trasparenza e la protezione degli investitori.

Secondo il prospetto, il periodo di sottoscrizione dell’IPO (codice azionario: 2577) per le azioni H di Innoscience va dal 18 al 23 dicembre 2024. La società ha fissato il prezzo dell’IPO tra 30,86 e 33,66 HKD per azione. La società prevede di emettere 45.364 milioni di azioni H a livello globale, con circa 4 milioni di azioni offerte a Hong Kong e circa 45 milioni di azioni a livello internazionale, oltre a un’opzione di over-allotment del 15%.

L’investimento della STMicroelectronics sottolinea un forte riconoscimento del potenziale di Innoscience nel mercato globale dei semiconduttori. La collaborazione evidenzia l’importanza crescente delle tecnologie GaN nell’elettronica di potenza, indotta dalla richiesta di una maggiore efficienza nel settore automobilistico, nell’elettronica di consumo e nelle applicazioni industriali.

Una pista d’oro da un miliardo di dollari con un grande potenziale

Il GaN si distingue per le sue prestazioni superiori rispetto ai materiali semiconduttori tradizionali. Oltre a un bandgap più ampio, il GaN vanta una bassa resistenza di accensione, una grande mobilità degli elettroni e una bassa frequenza di commutazione. Questi vantaggi ne incoraggiano fortemente l’implementazione in diversi settori. Inoltre, l’ampio bandgap del GaN gli consente di funzionare in modo stabile a tensioni più elevate; la sua grande mobilità elettronica aumenta notevolmente la capacità di pilotaggio della corrente e la velocità di risposta, riducendo le perdite di calore e aumentando l’efficienza energetica generale.

I prodotti a semiconduttore di potenza GaN hanno rapidamente abbracciato la ricarica rapida per i dispositivi intelligenti, le applicazioni di ricarica per autoveicoli e i data center grazie all’alta frequenza, alla bassa perdita e all’economicità. Questo ha inaugurato un periodo di sviluppo esponenziale per il settore GaN.

Grazie a un CAGR del 98,5% dal 2024 al 2028, Frost & Sullivan stima che il mercato supererà i 6,8 miliardi di dollari entro il 2028, grazie all’aumento dell’adozione di diverse applicazioni in molti settori.

Per quella data, i semiconduttori di potenza GaN dovrebbero rappresentare il 10,1% dell’industria mondiale dei semiconduttori di potenza.

I due principali fattori di sviluppo sono le auto elettriche e l’elettronica di consumo. Prevediamo che l’uso crescente del GaN nei caricabatterie e negli adattatori veloci, con un CAGR del 71,1%, spingerà il mercato a 2,9 miliardi di dollari nell’elettronica di consumo entro il 2028. Con uno straordinario CAGR del 216,4%, l’aumento della penetrazione e del valore per auto nel settore dei veicoli elettrici aiuterà il mercato del GaN a raggiungere i 3,4 miliardi di dollari entro il 2028.

Leadership globale e produzione cinese

Sebbene i prodotti a semiconduttore GaN abbiano un’ampia gamma di applicazioni, entrare in questo campo richiede tempo e impegno.

Le cinque principali aziende mondiali di semiconduttori di potenza adottano in genere il paradigma IDM, supervisionando l’intero processo dalla progettazione alla produzione e al collaudo. Questo approccio, tuttavia, prevede anche criteri tecnici rigorosi, ingenti spese iniziali e forti barriere all’ingresso nel settore.

Con l’obiettivo di sviluppare una base di produzione GaN che combini progettazione, R&S, produzione e vendita, Innoscience ha scelto il modello IDM fin dall’inizio in questo contesto. Le due basi di produzione GaN a base di silicio da 8 pollici dell’azienda si trovano a Suzhou e Zhuhai, in Cina. La capacità produttiva mensile è passata da 10.000 wafer alla fine del 2023 a 12.500 wafer al 30 giugno 2024, rafforzando la sua posizione di primo produttore mondiale di dispositivi GaN.

Con questo accordo, Innoscience è pronta ad avviare la sua IPO, utilizzando i fondi acquisiti per aumentare la capacità produttiva, accelerare la ricerca e lo sviluppo nei semiconduttori GaN e migliorare la sua presenza globale. Questa alleanza strategica pone Innoscience come uno dei principali partecipanti al panorama dei semiconduttori in rapida evoluzione, pronto a trarre vantaggio dalla crescente domanda di soluzioni ad alta efficienza energetica.

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