Il GaN Half-Bridge Power IC massimizza le prestazioni e riduce i costi
Il nitruro di gallio ĆØ una tecnologia a semiconduttore di nuova generazione con un enorme gap di banda che ĆØ diventato essenziale per lo sviluppo dell’elettronica di potenza avanzata. Ć fino a 20 volte piĆ¹ veloce del silicio e puĆ² fornire fino a tre volte la...
Il piĆ¹ piccolo FET da 40 V e 1,1 mOhm al mondo di EPC permette di ottenere la piĆ¹ elevata densitĆ di potenza
Il transistor GaN FETĀ EPC2066Ā da 40 V e 1,1 mĪ© presentato da EPC offre ai progettisti una soluzione significativamente piĆ¹ piccola e piĆ¹ efficiente rispetto ai dispositivi MOSFET in silicio per realizzare applicazioni ad alta prestazioni con stringenti limiti di...
Il futuro dellāelettronica di potenza nella conferenza virtuale e esposizione del 28-30 giugno 2022
L’elettronica di potenza coinvolge un’intera gamma di applicazioni critiche, dall’elettrificazione alle reti intelligenti. Essa ĆØ un pilastro fondamentale per l’intero settore, per soddisfare anche le richieste dei cambiamenti climatici e...
