Nuovi GaN HEMT con caratteristiche innovative
Gli HEMT GaN ROHM da 150 V, serie GNE10xxTB (GNE1040TB) migliorano la tensione di tenuta del gate (tensione nominale gate-source) a 8 V e sono ideali da utilizzare nei circuiti di alimentazione per apparecchiature industriali, comprese stazioni base e data center...
Libro: Dispositivi di potenza GaN e applicazioni
āGaN power devices and applicationsā ĆØ una guida dedicata ai progettisti e agli sviluppatori di applicazioni con i dispositivi GaN. Lāautore ĆØ Alex Lidow, fondatore e CEO di EPC, produttrice di dispositivi di potenza GaN, assieme a molti altri esperti di applicazioni...
Due cavalli vincenti: sperimentazione con i GaN GS61008T di GaN Systems e EPC2032 di EPC
I transistor GaN sono ideali per le nuove applicazioni di potenza. Essi sono caratterizzati da piccole dimensioni, velocitĆ operative molto alte e risultano estremamente efficienti. Con essi, qualsiasi progetto di potenza puĆ² essere realizzato senza problemi. In...
