Transistor di potenza di nuova generazione per maggiore efficienza nei sistemi embedded
Il MOSFET IPT007N06N diĀ Infineon TechnologyĀ svolge un ruolo centrale nella moderna progettazione dell’elettronica di potenza. Questo MOSFET di potenza a canale N sfrutta la sua eccezionale resistenza nello stato di conduzione e la capacitĆ di trasporto di...
Nuovi MOSFET per applicazioni di conversione dell’energia
I MOSFET CoolSiC G2 diĀ Infineon TechnologiesĀ rappresentano la prossima generazione della tecnologia SiC, aprendo un nuovo capitolo nei sistemi di alimentazione e nella conversione dell’energia nella tecnologia trench SiC MOSFET per inverter fotovoltaici, sistemi...
Editoriale: Rds(on): un parametro fondamentale per i MOSFET
La resistenza Rds(on) ĆØ uno dei parametri fondamentali che i progettisti devono osservare nellāutilizzo dei MOSFET. In pratica essa ĆØ la resistenza tra drain e source di un MOSFET, quando viene applicata una specifica tensione tra gate e source (VGS) per porre il...
