Il più piccolo FET da 40 V e 1,1 mOhm al mondo di EPC permette di ottenere la più elevata densità di potenza
Il transistor GaN FET EPC2066 da 40 V e 1,1 mΩ presentato da EPC offre ai progettisti una soluzione significativamente più piccola e più efficiente rispetto ai dispositivi MOSFET in silicio per realizzare applicazioni ad alta prestazioni con stringenti limiti di...
Il futuro dell’elettronica di potenza nella conferenza virtuale e esposizione del 28-30 giugno 2022
L’elettronica di potenza coinvolge un’intera gamma di applicazioni critiche, dall’elettrificazione alle reti intelligenti. Essa è un pilastro fondamentale per l’intero settore, per soddisfare anche le richieste dei cambiamenti climatici e...
Nuovi GaN HEMT con caratteristiche innovative
Gli HEMT GaN ROHM da 150 V, serie GNE10xxTB (GNE1040TB) migliorano la tensione di tenuta del gate (tensione nominale gate-source) a 8 V e sono ideali da utilizzare nei circuiti di alimentazione per apparecchiature industriali, comprese stazioni base e data center...
