In occasione della 68esima edizione dell’International Electron Devices Meeting (IEDM 2022) dell’IEEE a San Francisco (3-7 dicembre), la giapponese Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC) – scorporata da Toshiba Corp nel 2017 – ha...
I MOSFET SiC C3M di Wolfspeed nel pacchetto TOLL, ora disponibili presso Mouser, offrono una dipendenza dalla temperatura della resistenza on-state molto piĆ¹ bassa rispetto ai MOSFET al silicio standard. I MOSFET offrono velocitĆ di commutazione superiori e bassa...
STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dellāelettronica, costruirĆ un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia per supportare la domanda crescente di dispositivi...
Toshiba Electronics Europe GmbH ha rilasciato cinque nuovi dispositivi MOSFET SiC di terza generazione da 650 V per apparecchiature industriali. Questi prodotti, altamente efficienti e versatili, saranno utilizzati in diverse applicazioni esigenti, tra cui SMPS e UPS...
L’elettronica di potenza coinvolge un’intera gamma di applicazioni critiche, dall’elettrificazione alle reti intelligenti. Essa ĆØ un pilastro fondamentale per l’intero settore, per soddisfare anche le richieste dei cambiamenti climatici e...