UnitedSiC annuncia sei nuovi FET SiC D2PAK-7L
UnitedSiC, produttore leader di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC), continua ad espandere il proprio portafoglio FET con l’introduzione di sei nuove opzioni da 650V e 1200V, tutte alloggiate nella superficie D2PAK-7L standard del settore...
Nozioni di Base sui Transistor SiC: Domande Frequenti
In alternativa ai tradizionali MOSFET al silicio, i MOSFET al carburo di silicio (Sic) offrono i vantaggi di una maggiore tensione di blocco, minore resistenza allo stato on e maggiore conduttivitĆ termica. I dispositivi possono sostituire MOSFET al silicio e IGBT in...
Circuito di Pilotaggio del Gate con una Configurazione a ponte MOSFET SiC
Le modalitĆ in cui cambiano VDS e ID del MOSFET SiC LS (low-side) sono diversi in caso di accensione e spegnimento. Quando si considera l’effetto di questi cambiamenti sulla tensione gate-source (VGS), il nostro punto di partenza ĆØ un circuito equivalente che...
