La multinazionale dellāelettricitĆ adotta InnoGaN con package TO-252 per offrire il miglior prezzo e le migliori prestazioni 23 novembre 2023 ā Innoscience Technology, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro...
Littelfuse ha lanciato la sua nuova serie di protezione SIDACtor per applicazioni automobilistiche da 3 kA Pxxx0S3N-A in contenitore DO-214AB (SMC). Questo prodotto innovativo ĆØ stato creato per fornire una protezione robusta e affidabile da sovracorrenti elevate per...
Lo sviluppato del nuovo gate driver BD2311NVX-LB ottimizza i dispositivi GaN e raggiunge velocitĆ di pilotaggio del gate nell’ordine dei nanosecondi. CiĆ² ĆØ stato possibile grazie alla profonda conoscenza della tecnologia GaN e dalla continua ricerca. Il...
A cura del Dr. Shuilin Tian e del Dr. Denis Marcon di Innoscience Il mondo dell’elettronica di potenza ha accolto con interesse i vantaggi offerti dalla tecnologia basata sul nitruro di gallio (GaN). Gli articoli pubblicati sulla stampa specializzata, le...
Un MOSFET in stato di conduzione lavora con una efficienza massima, in quanto la tensione Drain-Source ĆØ minima, come pure la dissipazione di potenza. Ma se esso lavora in un sistema dinamico, le veloci commutazioni lo relegano in brevissime zone lineari, che ne...