I sistemi di comunicazione satellitare utilizzano schemi di modulazione complessi per raggiungere le velocità di trasmissione dati incredibilmente veloci necessarie per fornire dati video e a banda larga. Per raggiungere questo obiettivo, devono fornire un’elevata potenza di uscita RF garantendo contemporaneamente che i segnali mantengano le caratteristiche desiderate. Il nuovo amplificatore di potenza GMICP2731-10 GaN MMIC annunciato oggi da Microchip Technology aiuta a soddisfare entrambi questi requisiti. Il nuovo dispositivo, il primo GaN MMIC di Microchip, è progettato per l’uso in comunicazioni satellitari commerciali e di difesa, reti 5G e altri sistemi aerospaziali e di difesa. Il GMICP2731-10 è fabbricato utilizzando la tecnologia GaN-on-Silicon Carbide (SiC). Fornisce fino a 10 W di potenza di uscita RF sui 3,5 GHz di larghezza di banda tra 27,5 e 31 GHz. La sua efficienza di potenza aggiunta è del 20%, con 22 dB di guadagno per piccoli segnali e 15 dB di perdita di ritorno. Un’architettura bilanciata consente al GMICP2731-10 di essere ben abbinato a 50 ohm e include condensatori di blocco CC integrati in uscita per semplificare l’integrazione del progetto.

Poiché i sistemi di comunicazione impiegano schemi di modulazione complessi come 128-QAM e poiché la potenza degli amplificatori di potenza a stato solido (SSPA) è sempre più in aumento, i progettisti di amplificatori di potenza RF devono affrontare la difficile sfida di trovare soluzioni di potenza più elevate e allo stesso tempo ridurre il peso e consumo energetico. I GaN utilizzati negli SSPA ad alta potenza possono ottenere una potenza e un peso inferiori di oltre il 30% rispetto alle loro controparti GaAs, il che rappresenta un enorme vantaggio per gli OEM satellitari. Questo prodotto mantiene la promessa del GaN e consente le dimensioni, il peso, la potenza e i costi che gli OEM stanno cercando. Il GMCP2731-10 di Microchip integra il portafoglio esistente dell’azienda di amplificatori di potenza RF GaAs MMIC, interruttori, amplificatori a basso rumore e moduli front-end Wi-Fi, nonché un driver HEMT (High Electron Mobility Transistor) GaN-on-SiC e transistor amplificatori finali per sistemi radar. Maggiori info qui.