Nexperia ha recentemente introdotto i MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V NSF0xx120D7A0 nel packaging SMD D2PAK-7. Questi MOSFET sono disponibili in quattro diverse opzioni con valori RDSon di 30, 40, 60 e 80 mOhm. Questi interruttori vengono ampiamente adottati in varie applicazioni industriali, tra cui la ricarica di veicoli elettrici, gruppi di continuità e inverter di sistemi solari e di accumulo di energia.

L’RDSon è una caratteristica prestazionale cruciale per i MOSFET SiC poiché influisce direttamente sulle perdite di potenza durante la conduzione. Tuttavia, la maggior parte dei produttori dà priorità al valore nominale ignorando la possibilità che esso aumenti di oltre il 100% a causa delle elevate temperature operative del dispositivo, con conseguenti perdite di conduzione significative.

Nexperia ha riconosciuto questo come un elemento limitante nell’efficienza di numerosi dispositivi SiC attualmente sul mercato. Per risolvere questo problema, Nexperia ha utilizzato la sua tecnologia di processo avanzata per garantire che i suoi nuovi MOSFET SiC forniscano un’eccezionale stabilità della temperatura. Questi MOSFET mostrano un aumento nominale di solo il 38% in RDSon in un intervallo di temperature compreso tra 25 °C e 175 °C, posizionandoli come leader nel settore. I MOSFET hanno una tensione di soglia molto precisa, nota come VGS(th), che consente loro di fornire una capacità di trasporto di corrente bilanciata quando accoppiati in parallelo. Inoltre, la bassa tensione diretta del diodo body (VSD) è una caratteristica che migliora la durata e l’efficacia del dispositivo.

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