Eggtronic: una azienda italiana leader nell’elettronica di bassa potenza
Nel mondo moderno, gli esseri umani sono circondati da dispositivi elettronici che sono parte integrante della loro vita quotidiana. Dagli smartphone ai computer, dai televisori agli elettrodomestici, tutti questi dispositivi richiedono una corretta gestione degli...
EPC porta in tribunale Innoscience per violazione dei brevetti sui dispositivi di potenza GaN
Efficient Power Conversion Corp (EPC) di El Segundo, CA, USA, ha presentato un reclamo presso il Tribunale distrettuale degli Stati Uniti per il Distretto Centrale della California e presso la Commissione per il Commercio Internazionale degli Stati Uniti (ITC) per...
Modellazione e validazione di moduli di potenza MV SiC
I transistor di potenza convenzionali al silicio hanno raggiunto i loro limiti teorici[2] in termini di efficienza, densitĆ e temperatura di esercizio. Sono stati sostituiti da sistemi come il carburo di silicio SiC, basato su dispositivi con bandgap piĆ¹ ampio [3]. Il...
QPT annuncia una tecnologia che aumenta le prestazioni di commutazione GaN
QPT Limited ha sviluppato una tecnologia che consente al GaN di operare a una velocitĆ ben superiore ai limiti di corrente di 100 kHz e fino a 20 MHz in applicazioni ad alta potenza e alta tensione che utilizzano la commutazione dura, come i sistemi di azionamento dei...
iDEAL Semiconductor lancia la tecnologia SuperQ
L’innovazione della tecnologia SuperQ consente al silicio di progredire pur offrendo ai clienti dispositivi piĆ¹ piccoli, piĆ¹ efficienti e meno costosi. iDEAL Semiconductor ha annunciato la disponibilitĆ della sua tecnologia brevettata SuperQ. In diverse...
Corso di elettronica di potenza: “Convertitori DC-DC: step-up” (settima puntata)
Un convertitore DC-DC puĆ² anche innalzare il livello di tensione continua rispetto a quello di ingresso, oltre che abbassarlo. Questi tipi di convertitori sono detti āstep-upā e sono molto usati per qualsiasi tipologia di applicazione. Essi risultano utili quando...
Dispositivi onsemi EliteSiC M3S da 1200V di nuova generazione per una migliore efficienza dei veicoli elettrici
Il nuovo portafoglio comprende MOSFET a commutazione rapida e moduli integrati di potenza a mezzo ponte con la piĆ¹ bassa Rds(on) del settore per commutazione in pacchetti standard e maggiore efficienza. Secondo un annuncio di onsemi, i progettisti di elettronica di...
Infineon presenta circuiti integrati di nuova generazione per gate driver isolati a doppio canale
I nuovi gate driver possono essere utilizzati in molte applicazioni, come l’elaborazione ad alte prestazioni, gli inverter solari, i sistemi di accumulo di energia, gli azionamenti dei motori, le applicazioni alimentate a batteria, gli SMPS per server e...
