Infineon Technology annuncia di essere riuscita a sviluppare nel proprio stabilimento di produzione di Villach (Austria) la prima tecnologia di wafer al nitruro di gallio (GaN) di potenza da 300 mm. Questa innovazione contribuirà a dare un nuovo impulso al mercato dei semiconduttori di potenza basati su GaN.
La produzione di chip su wafer da 300 mm è tecnologicamente più avanzata e significativamente più efficiente rispetto ai wafer da 200 mm, poiché il diametro maggiore del wafer offre un numero di chip per wafer 2,3 volte superiore. “Questo straordinario successo è il risultato della nostra forza innovativa e del lavoro del nostro team globale, a dimostrazione della nostra posizione di leader dell’innovazione nella tecnologia GaN e nei sistemi di alimentazione”, ha affermato Jochen Hanebeck, CEO di Infineon Technologies.
“Questa svolta tecnologica cambierà le regole del gioco nel settore e ci consentirà di sbloccare il pieno potenziale del nitruro di gallio. A quasi un anno dall’acquisizione di GaN Systems, stiamo dimostrando ancora una volta di essere determinati a essere leader nel mercato in rapida crescita dei dispositivi GaN. In qualità di leader nei sistemi di alimentazione, Infineon sta padroneggiando tutti e tre i materiali fondamentali: silicio, carburo di silicio e nitruro di gallio”. Infineon presenterà al pubblico i primi wafer GaN da 300 mm durante la prossima edizione della fiera Electronica, in programma a Monaco di Baviera dal giorno 12 al giorno 15 novembre 2024 e dove anche EDM sarà presente.
