I semiconduttori di potenza serie CoolSiC MOSFET 1 200 V e IGBT7 H7 1 200 V di Infineon adottano le più recenti tecnologie di semiconduttori e concetti di progettazione su misura per le applicazioni industriali.
Infineon Technologies fornisce i suoi dispositivi semiconduttori di potenza a FOXESS, un leader in rapida espansione nel settore delle energie rinnovabili e produttore di inverter e sistemi di accumulo dell’energia.
Entrambi sono impegnati a promuovere la crescita delle energie rinnovabili. Infineon fornirà a FOXESS i suoi MOSFET CoolSiC da 1 200 V, che saranno utilizzati, insieme ai gate driver EiceDRIVER, per applicazioni di accumulo di energia industriale. Allo stesso tempo, FOXESS utilizzerà i dispositivi a semiconduttore di potenza IGBT7 H7 da 1 200 V di Infineon nei suoi inverter fotovoltaici di stringa. I dispositivi a semiconduttore di potenza serie CoolSiC MOSFET 1200 V e IGBT7 H7 1 200 V di Infineon utilizzano tecnologie avanzate di semiconduttori e principi di progettazione sviluppati appositamente per applicazioni industriali.
I MOSFET CoolSiC da 1 200 V di Infineon hanno un’elevata densità di potenza, che consente loro di ridurre le perdite del 50% e fornire circa il 2% di energia in più senza richiedere una batteria più grande. Ciò è particolarmente vantaggioso per i sistemi di accumulo dell’energia che privilegiano prestazioni elevate, leggerezza e compattezza. La linea di accumulo di energia FOXESS H3PRO, che va da 15 kW a 30 kW, incorpora i MOSFET CoolSiC di Infineon con una tensione nominale di 1 200 V su tutti i modelli.
Le eccezionali prestazioni di Infineon hanno consentito alla serie H3PRO di raggiungere un’efficienza fino al 98,1% e prestazioni eccezionali di compatibilità elettromagnetica (EMC).
