Nuovi MOSFET con bassa resistenza di ON di ROHM per un’alta efficienza
ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serieĀ RS6xxxxBxĀ /Ā RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali...
iDEAL Semiconductor lancia la tecnologia SuperQ
L’innovazione della tecnologia SuperQ consente al silicio di progredire pur offrendo ai clienti dispositivi piĆ¹ piccoli, piĆ¹ efficienti e meno costosi. iDEAL Semiconductor ha annunciato la disponibilitĆ della sua tecnologia brevettata SuperQ. In diverse...
Dispositivi onsemi EliteSiC M3S da 1200V di nuova generazione per una migliore efficienza dei veicoli elettrici
Il nuovo portafoglio comprende MOSFET a commutazione rapida e moduli integrati di potenza a mezzo ponte con la piĆ¹ bassa Rds(on) del settore per commutazione in pacchetti standard e maggiore efficienza. Secondo un annuncio di onsemi, i progettisti di elettronica di...
