Transistor GaN per antenne MIMO 5G per un’ampia gamma di frequenze
E’ disponibile il transistor A3G26D055N Airfast RF al nitruro di gallio (GaN) di NXP Semiconductors. Il transistor ĆØ destinato ad applicazioni di stazioni base cellulari che richiedono una capacitĆ di larghezza di banda istantanea molto ampia. Questo componente...
Microchip potenzia la gamma di radiofrequenze (RF) al nitruro di gallio (GaN) con il circuito integrato a microonde monolitico in banda Ka (MMIC) con elevata linearitĆ per i terminali SatCom
I sistemi di comunicazione satellitare utilizzano schemi di modulazione complessi per raggiungere le velocitĆ di trasmissione dati incredibilmente veloci necessarie per fornire dati video e a banda larga. Per raggiungere questo obiettivo, devono fornire...
EPC lancia la famiglia GaN rad-hard
Efficient Power Conversion (EPC) ha lanciato una famiglia di transistor e circuiti integrati GaN rad-hard. L’EPC7014 (un eGaNFET da 60 V, 340 mĪ©, 4 Apulsed, rad-hard con un ingombro di 0,81 mm2) ĆØ il primo della famiglia. L’EPC7014 ha un dosaggio totale...
