L’azienda di semiconduttori Fabless Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) ha firmato un accordo con IFP Energies nouvelles (IFPEN), un ente pubblico francese di ricerca e formazione nei settori dell’energia, dei trasporti e dell’ambiente – per lo...
Renesas Electronics Corporation, fornitore leader di soluzioni avanzate per semiconduttori, ha annunciato lo sviluppo di una nuova generazione di Si-IGBT (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) che sarĆ offerta in un ingombro ridotto pur fornendo basse perdite di...
Infineon Technologies AG lancia i nuovi IGBT EDT2 in un pacchetto TO247PLUS. I dispositivi sono ottimizzati per inverter a trazione discreta per autoveicoli ed espandono il portafoglio di dispositivi discreti ad alta tensione per applicazioni automobilistiche. Grazie...
Il software di simulazione elettronica āLTspiceā ĆØ uno tra i migliori in circolazione ed ĆØ utilizzato da milioni di utenti in tutto il mondo. Oltre ai componenti standard passivi (resistenze, condensatori, induttori) esso prevede una vasta libreria di dispositivi...